收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDP15N40
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDP15N40

Fairchild Semiconductor TO-220-3 824
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 400V 15A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与FDP15N40相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDP15N50 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 15A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDP15N65 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 15A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDP16AN08A0 Fairchild Semiconductor TO-220-3 773 MOSFET N-CH 75V 58A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDP150N10A Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDP150N10 Fairchild Semiconductor TO-220-3 3201 MOSFET N-CH 100V 57A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDP14AN06LA0 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 67A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDP15N40参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):400V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):15A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):300 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1750pF @ 25V
功率 - 最大值:170W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别