收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDP050AN06A0
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDP050AN06A0

Fairchild Semiconductor TO-220-3 1780
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
参考包装数量:400
参考包装形式:散装

与FDP050AN06A0相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDP054N10 Fairchild Semiconductor TO-220-3 成形引线 MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDP060AN08A0 Fairchild Semiconductor TO-220-3 308 MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDP070AN06A0 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDP047N10 Fairchild Semiconductor TO-220-3 11305 MOSFET N-CH 100V 120A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDP047N08 Fairchild Semiconductor TO-220-3 306 MOSFET N-CH 75V 164A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDP047AN08A0_F102 Fairchild Semiconductor 0+11200 MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB-3 ...

FDP050AN06A0参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3900pF @ 25V
功率 - 最大值:245W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别