型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FDN335N |
Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 111768 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 参考包装数量:1 参考包装形式: |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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FDN336P | Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 36000 | MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
FDN336P-NL | Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
FDN337N | Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 23820 | MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
FDN327N | Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 42000 | MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
FDN308P | Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 9000 | MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
FDN306P | Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 78000 | MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |