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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDMS8660S
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FDMS8660S

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简述:MOSFET N-CH 30V 25A POWER56
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDMS8660S相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDMS8662 Fairchild Semiconductor 8-PQFN,Power56 MOSFET N-CH 30V 28A POWER56 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMS8670 Fairchild Semiconductor 8-PQFN,Power56 MOSFET N-CH 30V 24A POWER56 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMS8670AS Fairchild Semiconductor 8-PQFN,Power56 MOSFET N-CH 30V 23A POWER56 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMS8660AS Fairchild Semiconductor 8-PQFN,Power56 MOSFET N-CH 30V 28A POWER56 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMS86540 Fairchild Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 60V 20A 8-PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDMS86520L Fairchild Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盘 3000 MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDMS8660S参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):25A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):113nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4345pF @ 15V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

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