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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDMS7558S
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FDMS7558S

Fairchild Semiconductor 8-PQFN,Power56 3000 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 25V 32A POWER56
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDMS7558S相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDMS7560S Fairchild Semiconductor 8-PQFN,Power56 MOSFET N-CH 25V 30A POWER56 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMS7570S Fairchild Semiconductor 8-PQFN,Power56 3000 MOSFET N-CH 25V 28A POWER56 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMS7572S Fairchild Semiconductor 8-PQFN,Power56 MOSFET N-CH 25V 23A POWER56 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMS7556S Fairchild Semiconductor 8-PQFN,Power56 6000 MOSFET N-CH 25V 35A POWER56 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMS6681Z Fairchild Semiconductor 8-PQFN,Power56 15000 MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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FDMS7558S参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):32A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.25 毫欧 @ 32A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):119nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7770pF @ 13V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

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