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FDMS3660S

Fairchild Semiconductor 8-PowerTDFN 3000
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简述:MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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FDMS3660S参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 N 沟道(双)非对称型
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:13A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8 毫欧 @ 13A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.7V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1765pF @ 15V
功率 - 最大:1W
安装类型:表面贴装

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