收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDMS3500
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDMS3500

Fairchild Semiconductor 8-PQFN,Power56 3000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 75V 9.2A POWER56
参考包装数量:1
参考包装形式:

与FDMS3500相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDMS3572 Fairchild Semiconductor 8-MLP,Power56 39000 MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDMS3600S Fairchild Semiconductor 8-PowerTDFN 6000 MOSFET N-CH 25V 15A 8-PQFN FET 型:2 N 沟道(非对称桥) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(...
FDMS3602S Fairchild Semiconductor 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 25V DUAL POWER56 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDMS3016DC Fairchild Semiconductor 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMS3008SDC Fairchild Semiconductor 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 29A 8-PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMS3006SDC Fairchild Semiconductor 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 34A 8-PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDMS3500参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):14.5 毫欧 @ 11.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):91nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4765pF @ 40V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别