收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDME905PT
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDME905PT

Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 5000
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 12V 6-UMLP
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDME905PT相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDME910PZT Fairchild Semiconductor * MOSFET P CH 20V 8A MICROFET FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMF6700 Fairchild Semiconductor 40-MLP,Power66 IC MULTICHIP MOD DRV/FET POWER66 类型:高端/低端驱动器 输入类型:PWM 输出数:1 导通状态电阻:- 电流 -...
FDMF6704 Fairchild Semiconductor 40-MLP IC DRMOS MODULE 1000KHZ 40-MLP 类型:高端/低端驱动器 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:- 电流 -...
FDME510PZT Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 20000+20000 MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDME410NZT Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 5926 MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDME1034CZT Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 5000 MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...

FDME905PT参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 8A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2315pF @ 6V
功率 - 最大值:700mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别