收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > FDMC8200
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDMC8200

Fairchild Semiconductor 8-PowerVDFN
询价QQ:
简述:MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDMC8200相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDMC8200S Fairchild Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 0+69000 MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDMC8296 Fairchild Semiconductor 8-MLP,Power33 MOSFET N-CH 30V 12A POWER33 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMC8321L Fairchild Semiconductor 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 44V 49A 8-PQFN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMC8030 Fairchild Semiconductor 8-PowerWDFN 0+9000 MOSFET N-CH 40V DUAL 8-MLP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDMC8026S Fairchild Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 0+9000 MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMC8015L Fairchild Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 40V 7A 8MLP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDMC8200参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:8A,12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:20 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:660pF @ 15V
功率 - 最大:700mW,900mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别