收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > FDMA1032CZ
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDMA1032CZ

Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 12000
询价QQ:
简述:IC MOSFET N/P-CHAN MICROFET 2X2
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDMA1032CZ相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDMA2002NZ Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 39000 IC MOSFET N-CH DUAL MICROFET 2X2 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDMA291P Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 0+318000 MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDMA3023PZ Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 12000 MOSFET P-CH DUAL 30V MICROFET6 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDMA1029PZ Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 88049 IC MOSFET P-CH DUAL MICROFET 2X2 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDMA1028NZ Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 9000 IC MOSFET N-CH DUAL MICROFET 2X2 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDMA1027PT Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 0+6000 MOSFET P-CH 20V DUAL MICROFET FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

FDMA1032CZ参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.7A,3.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:68 毫欧 @ 3.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:340pF @ 10V
功率 - 最大:700mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别