收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDM6296
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDM6296

Fairchild Semiconductor 8-PowerVDFN
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDM6296相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDMA1023PZ Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 6000 MOSFET P-CHAN DUAL MICROFET2X2 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDMA1024NZ Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 26941 MOSFET N-CH DUAL 20V 6-MICROFET FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDMA1025P Fairchild Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盘 3000 MOSFET P-CH DUAL 20V 3.1A MLP2X2 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDM606P Fairchild Semiconductor 8-MLP,MicroFET? MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDM3622 Fairchild Semiconductor 8-PowerVDFN 9000 MOSFET N-CH 100V 4.4A POWER33 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDM3300NZ Fairchild Semiconductor 8-MLP,Power33 MOSFET N-CH DUAL 20V 10A MCRFET FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

FDM6296参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 11.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2005pF @ 15V
功率 - 最大值:900mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别