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FDI8441_F085

Fairchild Semiconductor TO-262-3(直引线) 0+2400
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简述:MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB
参考包装数量:400
参考包装形式:管件

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FDI8441_F085参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):26A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.7 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):280nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):15000pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:通孔

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