收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDI047AN08A0
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDI047AN08A0

Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB
参考包装数量:400
参考包装形式:管件

与FDI047AN08A0相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDI14-250C 3M 8 CONN INSUL FEMALE 16-14AWG .250" ...
FDI150N10 Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 0+1600 MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDI18-250C 3M 315 CONN INSUL FEMALE 22-18AWG .250" ...
FDI045N10A Fairchild Semiconductor TO-262-3(直引线) MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDI040N06 Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDI038AN06A0 Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FDI047AN08A0参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.7 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):138nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6600pF @ 25V
功率 - 最大值:310W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别