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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDI025N06
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FDI025N06

Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 60V 265A TO-262
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与FDI025N06相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDI030N06 Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 43+800 MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDI038AN06A0 Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDI040N06 Fairchild Semiconductor TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDH700_T50R Fairchild Semiconductor DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE 20V 150MA DO35 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):20V 电流 - 平均整流 (Io...
FDH700 Fairchild Semiconductor DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE 20V 150MA DO35 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):20V 电流 - 平均整流 (Io...
FDH633605 Fairchild Semiconductor DO-204AH,DO-35,轴向 MOSFET N-CH DO-35 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FDI025N06参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):265A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):226nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14885pF @ 25V
功率 - 最大值:395W
安装类型:通孔

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