收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > FDG6322C
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDG6322C

Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 30000
询价QQ:
简述:IC FET DGTL N/P-CHAN DUAL SC70-6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDG6322C相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDG6322C_D87Z Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
FDG6323L Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6000 IC FET LOAD SW P-CHAN SC70-6 类型:通用 输出数:1 Rds(开):550 毫欧 内部开关:是 电流限制:60...
FDG6323L_D87Z Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6 类型:通用 输出数:1 Rds(开):550 毫欧 内部开关:是 电流限制:60...
FDG6321C Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 36000 MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
FDG6320C_D87Z Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
FDG6320C Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 9000 MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...

FDG6322C参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:220mA,410mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4 欧姆 @ 220mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:0.4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:9.5pF @ 10V
功率 - 最大:300mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别