收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > FDG6318P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDG6318P

Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 3000+6000
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDG6318P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDG6318PZ Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 0+27000 MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDG6320C Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 9000 MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
FDG6320C_D87Z Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
FDG6317NZ Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDG6316P Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 9000 MOSF P CH DUAL 12V 700MA SC70-6 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDG6314P Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET P-CH DUAL 25V SC70-6 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...

FDG6318P参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:500mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:780 毫欧 @ 500mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:1.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:83pF @ 10V
功率 - 最大:300mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别