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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDG330P
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FDG330P

Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDG330P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDG332PZ Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 21000+579000 MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDG361N Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDG410NZ Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 0+261000 MOSFET N-CH SINGLE 20V SC70-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDG329N Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDG328P Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 3000 MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDG327NZ Fairchild Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 3000+36000 MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDG330P参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):477pF @ 6V
功率 - 最大值:480mW
安装类型:表面贴装

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