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FDD8451

Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 6195
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简述:MOSFET N-CH 40V 9A DPAK
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDD8453LZ Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 15000+2500 MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDD8453LZ_F085 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 0+7500 MOSFET N-CH 40V DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDD850N10L Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500+10000 MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDD8447L_F085 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 40V 50A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDD8447L Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 10000+10000 MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDD8445_F085 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 40V 70A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDD8451参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):990pF @ 20V
功率 - 最大值:30W
安装类型:表面贴装

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