收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDD6670AL
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDD6670AL

Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDD6670AL相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDD6670AS Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 76A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDD6672A Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 65A D-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDD6676AS Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 90A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDD6670A Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 MOSFET N-CH 30V 15A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDD6637_F085 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 35V 13A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDD6637 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 15000 MOSFET P-CH 35V 13A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDD6670AL参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):84A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):56nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3845pF @ 15V
功率 - 最大值:1.6W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别