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FDD6612A

Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 4355
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简述:MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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FDD6612A参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 9.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9.4nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):660pF @ 15V
功率 - 最大值:1.3W
安装类型:表面贴装

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