| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
FDD5N53TM_WS |
Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 询价QQ： |
||
| 简述：MOSFET N-CH 530V 4A DPAK 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD5N60NZTM | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 0+67500 | MOSFET N-CH 600V DPAK-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FDD6030L | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 0+5000 | MOSFET N-CH 30V 12A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| FDD6296 | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 30V 15A D-PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| FDD5N50UTM_WS | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 0+105000 | MOSFET N-CH 500V 3A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FDD5N50UTF_WS | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 500V 3A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| FDD5N50TM_WS | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 0+2500 | MOSFET N-CH 500V 4A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
