收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDD5N50NZFTM
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDD5N50NZFTM

Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDD5N50NZFTM相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDD5N50NZTM Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 500V DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDD5N50TF_WS Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 500V 4A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDD5N50TM_WS Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 0+2500 MOSFET N-CH 500V 4A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDD5N50FTM_WS Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDD5N50FTF_WS Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDD5810_F085 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 37A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDD5N50NZFTM参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.75 欧姆 @ 1.85A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):485pF @ 25V
功率 - 最大值:62.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别