收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDD45AN06LA0_F085
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDD45AN06LA0_F085

Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDD45AN06LA0_F085相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDD4685 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 22831 MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDD4685_F085 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDD4685TF_SB82135 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 0+2000 MOSFET P-CH 40V DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDD45AN06LA0 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 25A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDD4243_F085 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDD4243 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDD45AN06LA0_F085参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):25A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):36 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):880pF @ 25V
功率 - 最大值:55W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别