收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDD3N40TF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDD3N40TF

Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
参考包装数量:2000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDD3N40TF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDD3N40TM Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5000+7500 MOSFET N-CH 400V 2A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDD3N50NZTM Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 0+2500 MOSFET N-CH 500V DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDD4141 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 17559 MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDD390N15ALZ Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDD390N15A Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 MOSFET N-CH 150V 26A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDD3860 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 27500+7500 MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FDD3N40TF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):400V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.4 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):225pF @ 25V
功率 - 最大值:30W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别