收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDD14AN06LA0
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDD14AN06LA0

Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDD14AN06LA0相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDD14AN06LA0_F085 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDD16AN08A0 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 20000 MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDD16AN08A0_F085 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 75V 50A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDD13AN06A0_F085 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 50A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDD13AN06A0 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 37500 MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDD120AN15A0 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 MOSFET N-CH 150V 14A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FDD14AN06LA0参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):50A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):11.6 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):32nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2810pF @ 25V
功率 - 最大值:125W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别