收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDC86244
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDC86244

Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDC86244相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDC8878 Fairchild Semiconductor SOT-6 0+12000 MOSFET N-CH 30V 8A 6-SSOT FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDC8884 Fairchild Semiconductor SOT-6 0+9000 MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDC8886 Fairchild Semiconductor SOT-6 MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:* 漏源极电压 ...
FDC8602 Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 3000+21000 MOSFET N-CH DUAL 100V 6-SSOT FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
FDC8601 Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 6000 MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDC855N Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 6000 MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDC86244参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):144 毫欧 @ 2.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):345pF @ 75V
功率 - 最大值:1.6W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别