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FDC6301N

Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 17017
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简述:IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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FDC6301N参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:220mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4 欧姆 @ 400mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:0.7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:9.5pF @ 10V
功率 - 最大:700mW
安装类型:表面贴装

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