收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > FDC6020C
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDC6020C

Fairchild Semiconductor 6-SSOT 扁平引线,SuperSOT?-6 FLMP
询价QQ:
简述:MOSFET N/P-CHAN 20V COMPL 6SSOT
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDC6020C相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDC6020C_F077 Fairchild Semiconductor 6-SSOT 扁平引线,SuperSOT?-6 FLMP MOSFET N P-CH 20V 6-SSOP FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
FDC602P Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 33000+186000 MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDC602P_F095 Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 5.5A 6SSOT FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDC6000NZ_F077 Fairchild Semiconductor 6-SSOT 扁平引线,SuperSOT?-6 FLMP MOSFET N-CH DUAL 20V 7.3A 6-SSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDC6000NZ Fairchild Semiconductor 6-SSOT 扁平引线,SuperSOT?-6 FLMP MOSFET N-CH DUAL 20V 6.5A 6SSOT FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDC5661N_F085 Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET N-CH 60V 6-SSOT FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDC6020C参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.9A,4.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:27 毫欧 @ 5.9A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:677pF @ 10V
功率 - 最大:1.2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别