收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDC5614P_D87Z
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDC5614P_D87Z

Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 60V 3A 6SSOT
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDC5614P_D87Z相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDC5661N_F085 Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET N-CH 60V 6-SSOT FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDC6000NZ Fairchild Semiconductor 6-SSOT 扁平引线,SuperSOT?-6 FLMP MOSFET N-CH DUAL 20V 6.5A 6SSOT FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDC6000NZ_F077 Fairchild Semiconductor 6-SSOT 扁平引线,SuperSOT?-6 FLMP MOSFET N-CH DUAL 20V 7.3A 6-SSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
FDC5614P Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 60000 MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDC5612_F095 Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-SSOT FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDC5612 Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 57000 MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

FDC5614P_D87Z参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):105 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):759pF @ 30V
功率 - 最大值:800mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别