收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDB8441
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDB8441

Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1600
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDB8441相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDB8441_F085 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDB8442 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 4700+800 MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDB8443 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDB8160_F085 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDB8160 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDB8132 Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK ...

FDB8441参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):280nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):15000pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别