收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > FDB16AN08A0
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

FDB16AN08A0

Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与FDB16AN08A0相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FDB20AN06A0 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDB24AN06LA0 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
FDB2532 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 7023 MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDB15N50 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 2400+2400 MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDB150N10 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 800+1600 MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FDB14N30TM Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 4800 MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FDB16AN08A0参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):58A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 58A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):42nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1857pF @ 25V
功率 - 最大值:135W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别