| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FDB12N50UTM_WS |
Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK 参考包装数量：800 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| FDB13AN06A0 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 2400+2400 | MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FDB14AN06LA0 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| FDB14AN06LA0_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| FDB12N50TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 800+22400 | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FDB12N50FTM_WS | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 0+800 | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FDB120N10 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 0+800 | MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
