| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FDA215S |
IXYS Integrated Circuits Division | 8-SMD（300 密耳） | 询价QQ： |
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| 简述：IC DRIVER MOSFT DUAL PHOTO 8-SMD 参考包装数量：50 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| FDA24N40F | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 750 | MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FDA24N50 | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 482 | MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FDA24N50F | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 0+3150 | MOSFET N-CH 500V 24A TO-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FDA215 | IXYS Integrated Circuits Division | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | IC DRIVER MOSFT DUAL PHOTO 8-DIP | 配置：- 输入类型：反相 延迟时间：5ms 电流 - 峰：1A 配置数：1 输出... | |
| FDA20N50F | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | 1929 | MOSFET N-CH 500V 22A TO-3PN | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| FDA20N50_F109 | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
