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FCP190N60E

Fairchild Semiconductor 0+7200
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简述:MOSFET N-CH 600V TO-220-3
参考包装数量:400
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与FCP190N60E相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
FCP1913H104G Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1913(4833 公制) CAP FILM 0.1UF 50VDC 1913 电容:0.1µF 额定电压 - AC:- 额定电压 - DC:5...
FCP1913H104G-E3 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1913(4833 公制) CAP FILM 0.1UF 50VDC 1913 电容:0.1µF 额定电压 - AC:- 额定电压 - DC:5...
FCP1913H104J Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1913(4833 公制) 0+1800 CAP FILM 0.1UF 50VDC 1913 电容:0.1µF 额定电压 - AC:- 额定电压 - DC:5...
FCP190N60 Fairchild Semiconductor TO-220-3 0+8000 MOSFET N-CH 600V TO-220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FCP16N60N Fairchild Semiconductor TO-220-3 285+400 MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
FCP16N60 Fairchild Semiconductor TO-220-3 1537 MOSFET N-CH 600V 16A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

FCP190N60E参数资料


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