型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FCP190N60E |
Fairchild Semiconductor | 0+7200 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 600V TO-220-3 参考包装数量:400 参考包装形式: |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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FCP1913H104G | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | 1913(4833 公制) | CAP FILM 0.1UF 50VDC 1913 | 电容:0.1µF 额定电压 - AC:- 额定电压 - DC:5... | |
FCP1913H104G-E3 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | 1913(4833 公制) | CAP FILM 0.1UF 50VDC 1913 | 电容:0.1µF 额定电压 - AC:- 额定电压 - DC:5... | |
FCP1913H104J | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | 1913(4833 公制) | 0+1800 | CAP FILM 0.1UF 50VDC 1913 | 电容:0.1µF 额定电压 - AC:- 额定电压 - DC:5... |
FCP190N60 | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | 0+8000 | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
FCP16N60N | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | 285+400 | MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
FCP16N60 | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | 1537 | MOSFET N-CH 600V 16A TO-220 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |