型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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FCA-210-451 |
TE Connectivity | 询价QQ: |
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简述:RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 10A 参考包装数量:10 参考包装形式:散装 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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FCA22N60N | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3,SC-65-3 | 317 | MOSFET N-CH 600V 22A TO-3PN | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
FCA35N60 | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3,SC-65-3 | 172 | MOSFET N-CH 600V 35A TO-3PN | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
FCA36N60NF | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3,SC-65-3 | 533+900 | MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
FCA20N60S_F109 | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3,SC-65-3 | 0+5400 | MOSFET N-CH 650V TO-3PN | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
FCA20N60FS | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3 整包 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
FCA20N60F | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3,SC-65-3 | 811 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |