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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > EPC1015
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EPC1015

EPC 模具剖面(11 焊条) 闂傚倷鐒﹀鍨熆閳ь剛绱掗幓鎺濈吋闁诡垯鐒︾粋鎺斺偓锝庡亝濞呮牠姊虹捄銊ユ珢闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
参考包装数量:500
参考包装形式:带卷 (TR)

与EPC1015相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
EPC1064LI20 Altera 20-LCC(J 形引线) IC CONFIG DEVICE 65KBIT 20-PLCC 可编程类型:OTP 存储容量:65kb 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工...
EPC1064PC8 Altera 8-DIP(0.300",7.62mm) IC CONFIG DEVICE 65KBIT 8-DIP 可编程类型:OTP 存储容量:65kb 电源电压:4.75 V ~ 5.25 V...
EPC1064PI8 Altera 8-DIP(0.300",7.62mm) 490 IC CONFIG DEVICE 65KBIT 8-DIP 可编程类型:OTP 存储容量:65kb 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工...
EPC1014 EPC 5-LGA 16000 TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电...
EPC1013 EPC 4-LGA 1500 TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电...
EPC1012 EPC 4-LGA 11000 TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电...

EPC1015参数资料

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FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):33A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4 毫欧 @ 33A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 9mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11.6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 20V
功率 - 最大值:-
安装类型:表面贴装

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