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EMX18T2R

Rohm Semiconductor SOT-563,SOT-666
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简述:TRANS COMPLEX DUAL NPN 12V EMT6
参考包装数量:8000
参考包装形式:带卷 (TR)

与EMX18T2R相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
EMX1DXV6T1 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS NPN GP DUAL 60V SOT-563 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电...
EMX1DXV6T1G ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS NPN GP DUAL 60V SOT-563 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电...
EMX1DXV6T5G ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 0+8000 TRANS NPN GP DUAL 60V SOT-563 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电...
EMVY6R3GDA822MMN0S United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 8200UF 6.3V 20% SMD 电容:8200µF 额定电压:6.3V 容差:±20%...
EMVY6R3GDA682MMN0S United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 6800UF 6.3V 20% SMD 电容:6800µF 额定电压:6.3V 容差:±20%...
EMVY6R3GDA682MLN0S United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 6800UF 6.3V 20% SMD 电容:6800µF 额定电压:6.3V 容差:±20%...

EMX18T2R参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 10mA,200mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):270 @ 10mA,2V
功率 - 最大:150mW
频率 - 转换:320MHz
安装类型:表面贴装

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