收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > EMH1405-TL-H
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

EMH1405-TL-H

ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与EMH1405-TL-H相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
EMH1T2R Rohm Semiconductor SOT-563,SOT-666 8000 TRANS DUAL NPN 50V 30MA EMT6 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
EMH2308-TL-E ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH DUAL 30V 3A ECH8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
EMH2314-TL-H ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH DUAL 12V 5A EMH8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
EMH1307-TL-H ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
EMH1303-TL-E ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH 12V 7A EMH8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
EMH11T2R Rohm Semiconductor SOT-563,SOT-666 16000 TRANS DUAL NPN 50V 50MA EMT6 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...

EMH1405-TL-H参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):820pF @ 10V
功率 - 最大值:1.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别