收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > EMH10T2R
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

EMH10T2R

Rohm Semiconductor SOT-563,SOT-666 8000
询价QQ:
简述:TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT6
参考包装数量:8000
参考包装形式:带卷 (TR)

与EMH10T2R相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
EMH11T2R Rohm Semiconductor SOT-563,SOT-666 16000 TRANS DUAL NPN 50V 50MA EMT6 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
EMH1303-TL-E ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH 12V 7A EMH8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
EMH1307-TL-H ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
EMH Switchcraft Inc. CONN E SERIES HSNG MALE NICKEL ...
EMG9T2R Rohm Semiconductor EMT5 16000 TRANS DUAL NPN 50V 50MA EMT5 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
EMG8T2R Rohm Semiconductor EMT5 TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT5 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...

EMH10T2R参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):22k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):22k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):56 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:250MHz
功率 - 最大:150mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别