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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > EMA6DXV5T1
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EMA6DXV5T1

ON Semiconductor SOT-553 闂備焦妞垮鈧紒鎻掝煼閹焦绂掔€n偅娅栭梺璺ㄥ櫐閹凤拷0755-83217923
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简述:TRANS BR DUAL COMMON EMIT SOT553
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与EMA6DXV5T1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
EMA6DXV5T1G ON Semiconductor SOT-553 TRANS BR DUAL COMMON EMIT SOT553 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
EMA6DXV5T5G ON Semiconductor SOT-553 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-553 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
EMA8T2R Rohm Semiconductor EMT5 TRANS DUAL PNP 50V 100MA EMT5 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
EMA5T2R Rohm Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS DGTL DUAL DTA123J EMT6 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
EMA50DTMZ-S664 Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 100PS R/A .125 SLD ...
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EMA6DXV5T1参数资料

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晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):47k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:-
功率 - 最大:230mW
安装类型:表面贴装

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