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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > ECH8602M-TL-H
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ECH8602M-TL-H

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简述:MOSFET N-CH 30V 6A ECH8
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与ECH8602M-TL-H相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ECH8619-TL-E ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 MOSFET N/P-CH 60V 3/2A ECH8 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
ECH8620-TL-E SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 8-SMD,扁平引线 MOSFET N/P-CH 100V 2/1.5A ECH8 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
ECH8649-TL-H ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A ECH8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
ECH8601M-TL-H ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 0+138000 MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ECH8503-TL-H ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 TRANS PNP BIPO DUAL 5A 50V ECH8 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A 电压 -...
ECH8502-TL-H ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 TRANS PNP/NPN 5A 50V ECH8 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A 电压 - ...

ECH8602M-TL-H参数资料

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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:30 毫欧 @ 3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):-
闸电荷(Qg) @ Vgs:7.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:1.5W
安装类型:表面贴装

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