收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > ECH8420-TL-H
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

ECH8420-TL-H

ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 14A ECH8
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与ECH8420-TL-H相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ECH8501-TL-H ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 0+3000 TRANS PNP/NPN BIPO 5A 30V ECH8 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A 电压 - ...
ECH8502-TL-H ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 TRANS PNP/NPN 5A 50V ECH8 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A 电压 - ...
ECH8503-TL-H ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 TRANS PNP BIPO DUAL 5A 50V ECH8 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A 电压 -...
ECH8419-TL-H ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 MOSFET N-CH 35V 9A ECH8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ECH8411-TL-E SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 8-SMD,扁平引线 MOSFET N-CH 20V 9A ECH8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
ECH8410-TL-H ON Semiconductor 8-SMD,扁平引线 MOSFET N-CH 30V 12A ECH8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

ECH8420-TL-H参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):14A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.8 毫欧 @ 7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2430pF @ 10V
功率 - 最大值:1.6W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别