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EC4406C-TL-H

SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 4-UFDFN
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简述:MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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EC4406C-TL-H参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):200mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.9 欧姆 @ 100mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):26pF @ 20V
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装

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