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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > DDTD113ZC-7-F
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DDTD113ZC-7-F

Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 22666
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简述:TRANS NPN 200MW R1/R2 SOT23-3
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与DDTD113ZC-7-F相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DDTD113ZU-7-F Diodes Inc SC-70,SOT-323 TRANS PREB NPN 200MW R1/2 SC70-3 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...
DDTD114EC-7-F Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN 200MW R1/R2 SOT23-3 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...
DDTD114EU-7-F Diodes Inc SC-70,SOT-323 TRANS PREB NPN 200MW R1/2 SC70-3 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...
DDTD113EU-7-F Diodes Inc SC-70,SOT-323 TRANS PREB NPN 200MW R1/2 SC70-3 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...
DDTD113EC-7-F Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN 200MW R1/R2 SOT23-3 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...
DDTC144WUA-7-F Diodes Inc SC-70,SOT-323 6186 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):30mA 电...

DDTD113ZC-7-F参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):1k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):56 @ 50mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:200MHz
功率 - 最大:200mW
安装类型:表面贴装

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