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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > DDTC114GE-7-F
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DDTC114GE-7-F

Diodes Inc SOT-523 21000
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简述:TRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与DDTC114GE-7-F相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
DDTC114GKA-7-F Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS PREB NPN 200MW R2 SC59-3 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
DDTC114GUA-7 Diodes Inc SC-70,SOT-323 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
DDTC114GUA-7-F Diodes Inc SC-70,SOT-323 15000 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC70-3 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
DDTC114GE-7 Diodes Inc SOT-523 TRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
DDTC114GCA-7-F Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
DDTC114GCA-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...

DDTC114GE-7-F参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):-
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):30 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):-
频率 - 转换:250MHz
功率 - 最大:150mW
安装类型:表面贴装

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