| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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CSD20060D |
Cree Inc | TO-247-3 | 询价QQ： |
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| 简述：DIODE SCHOTTKY 600V 16.5A TO-247 参考包装数量：600 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| CSD23201W10 | Texas Instruments | 4-UFBGA，DSBGA | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD25201W15 | Texas Instruments | 9-UFBGA，DSBGA | 0+42000 | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| CSD25211W1015 | Texas Instruments | 6-UFBGA，DSBGA | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD20030D | Cree Inc | TO-247-3 | DIODE SCHOTTKY 300V 20A TO-247 | 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）：1.4V @ 10A 电流 - ... | |
| CSD18534KCS | Texas Instruments | TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| CSD18533Q5A | Texas Instruments | 8-TDFN 裸露焊盘 | MOSFET N-CH 60V 17A 8SON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
