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BZV55C11-TP

Micro Commercial Co DO-213AC(玻璃)
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简述:DIODE ZENER 500MW 11V MINIMELF
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与BZV55C11-TP相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BZV55-C12,115 NXP Semiconductors SOD-80C 12500 DIODE ZENER 12V 500MW SOD80C 电压 - 齐纳(标称)(Vz):12V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZV55-C12,135 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 12V 500MW SOD80C 电压 - 齐纳(标称)(Vz):12V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZV55C12-TP Micro Commercial Co DO-213AC(玻璃) 15000 DIODE ZENER 500MW 12V MINIMELF 电压 - 齐纳(标称)(Vz):12V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZV55-C11,135 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 11V 500MW SOD80C 电压 - 齐纳(标称)(Vz):11V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZV55-C11,115 NXP Semiconductors SOD-80C 20000 DIODE ZENER 11V 500MW SOD80C 电压 - 齐纳(标称)(Vz):11V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZV55C10-TP Micro Commercial Co DO-213AC(玻璃) 5000 DIODE ZENER 500MW 10V MINIMELF 电压 - 齐纳(标称)(Vz):10V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...

BZV55C11-TP参数资料

PDF资料下载:

电压 - 齐纳(标称)(Vz):11V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.5V @ 200mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 8.2V
容差:±5%
功率 - 最大:500mW
阻抗(最大)(Zzt):20 欧姆
安装类型:表面贴装

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