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BZV55-B43,115

NXP Semiconductors SOD-80C
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简述:DIODE ZENER 43V 500MW SOD80C
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与BZV55-B43,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BZV55-B47,115 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 47V 500MW SOD80C 电压 - 齐纳(标称)(Vz):47V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZV55-B4V3,115 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD80C 电压 - 齐纳(标称)(Vz):4.3V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
BZV55-B4V7,115 NXP Semiconductors SOD-80C 10000 DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD80C 电压 - 齐纳(标称)(Vz):4.7V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
BZV55-B3V9,115 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80C 电压 - 齐纳(标称)(Vz):3.9V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
BZV55-B3V6,115 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD80C 电压 - 齐纳(标称)(Vz):3.6V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
BZV55-B3V3,115 NXP Semiconductors SOD-80C 35000 DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD80C 电压 - 齐纳(标称)(Vz):3.3V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...

BZV55-B43,115参数资料

PDF资料下载:

电压 - 齐纳(标称)(Vz):43V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电:50nA @ 30.1V
容差:±2%
功率 - 最大:500mW
阻抗(最大)(Zzt):150 欧姆
安装类型:表面贴装

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