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BZV55-B2V7,115

NXP Semiconductors SOD-80C 8567
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简述:DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD80C
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与BZV55-B2V7,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BZV55-B30,115 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 30V 500MW SOD80C 电压 - 齐纳(标称)(Vz):30V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZV55-B33,115 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 33V 500MW SOD80C 电压 - 齐纳(标称)(Vz):33V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZV55-B36,115 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 36V 500MW SOD80C 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZV55-B2V4,115 NXP Semiconductors SOD-80C 2500 DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD80C 电压 - 齐纳(标称)(Vz):2.4V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
BZV55-B27,115 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 27V 500MW SOD80C 电压 - 齐纳(标称)(Vz):27V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZV55-B24,115 NXP Semiconductors SOD-80C 20000 DIODE ZENER 24V 500MW SOD80C 电压 - 齐纳(标称)(Vz):24V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...

BZV55-B2V7,115参数资料

PDF资料下载:

电压 - 齐纳(标称)(Vz):2.7V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电:20µA @ 1V
容差:±2%
功率 - 最大:500mW
阻抗(最大)(Zzt):100 欧姆
安装类型:表面贴装

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