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BZT52H-B6V8,115

NXP Semiconductors SOD-123F
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简述:DIODE ZENER 6.8V SOD123
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BZT52H-B6V8,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BZT52H-B75,115 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 75V SOD123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):75V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZT52H-B7V5,115 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 7.5V SOD123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):7.5V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
BZT52H-B8V2,115 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 8.2V SOD123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):8.2V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
BZT52H-B6V2,115 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 6.2V SOD123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):6.2V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
BZT52H-B68,115 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 68V SOD123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):68V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZT52H-B62,115 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 62V SOD123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):62V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...

BZT52H-B6V8,115参数资料

PDF资料下载:

电压 - 齐纳(标称)(Vz):6.8V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电:2µA @ 4V
容差:±5%
功率 - 最大:375mW
阻抗(最大)(Zzt):8 欧姆
安装类型:表面贴装

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